IPL65R230C7AUMA1 vs IPD65R225C7ATMA1 비교
다음의 상세 나란히 비교: IPL65R230C7AUMA1 제조: Infineon 및 IPD65R225C7ATMA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | IPL65R230C7AUMA1 | IPD65R225C7ATMA1 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Infineon | Infineon |
| 카테고리 | MOSFETs | MOSFETs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $1.02 | $1.34 |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Series | CoolMOS C7 | CoolMOS C7 |
| 트랜지스터 유형 | N-Channel MOSFET | N-Channel MOSFET |
| Technology | Superjunction (CoolMOS C7) | Super-junction (SJ) / CoolMOS |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 10 A | — |
| Power Dissipation (PD) at Tc | 67 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max | 230 mOhm | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min/max] | [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] |
| Gate Charge (Qg) | [DATA_NEEDED: Qg typical at VGS=10V] | — |
| 동작 접합 온도 | -55 C to +150 C | — |
| 패키지 | PG-VSON-4 (surface mount, 4 pins) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| ESD Protection | Yes (integrated, per datasheet) | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| 할로겐 프리 | Yes (per Infineon product page) | — |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL rating] | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| Drain-Source Voltage (VDSS) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | 11 A |
| Power Dissipation (PD) at TC | — | 63 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 225 mΩ |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | ±20 V (max) |
| 동작 온도 범위 | — | -55°C to +150°C |
| 핀 수 | — | 3 (2 + tab) |
| Avalanche Energy Rated | — | Yes (per datasheet) |