IRFH5015TRPBF vs IRFH6200TRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRFH5015TRPBF von Infineon und IRFH6200TRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRFH5015TRPBF IRFH6200TRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie MOSFETs MOSFETs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,62 $0,53
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC 155 nC
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Gehäuse 8-PQFN (5x6) SuperSO8 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Betriebstemperatur -55C to +150C (TJ max) —
RoHS-Status Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH6200TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.2 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating]
Power Dissipation at Ta (25C) — 3.6 W
Power Dissipation at Tc (25C) — 156 W
Betriebs-Sperrschichttemperatur — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R)
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Avalanche Energy Rated — Yes

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