IRFH5015TRPBF vs IRFH6200TRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon y IRFH6200TRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRFH5015TRPBF IRFH6200TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,62 $0,53
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC 155 nC
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulado 8-PQFN (5x6) SuperSO8 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de funcionamiento -55C to +150C (TJ max) —
Estado RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH6200TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.2 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating]
Power Dissipation at Ta (25C) — 3.6 W
Power Dissipation at Tc (25C) — 156 W
Temperatura de unión de funcionamiento — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R)
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Avalanche Energy Rated — Yes

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