IRFH5015TRPBF vs IRFH6200TRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRFH5015TRPBF por Infineon e IRFH6200TRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRFH5015TRPBF IRFH6200TRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria MOSFETs MOSFETs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,62 $0,53
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC 155 nC
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Encapsulamento 8-PQFN (5x6) SuperSO8 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Temperatura de operação -55C to +150C (TJ max) —
Status RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH6200TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.2 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating]
Power Dissipation at Ta (25C) — 3.6 W
Power Dissipation at Tc (25C) — 156 W
Temperatura de junção de operação — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R)
Nível MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Avalanche Energy Rated — Yes

Fichas técnicas e recursos

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