IRFH5015TRPBF vs IRFH6200TRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRFH5015TRPBF par Infineon et IRFH6200TRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRFH5015TRPBF IRFH6200TRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,62 $0,53
FET Type N-Channel —
Technology IR MOSFET (HEXFET) StrongIRFET (trench N-channel)
Drain-Source Voltage (VDS) 150 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 10 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 56 A —
On-Resistance (RDS(on)) max 31 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 33 nC 155 nC
Power Dissipation (TA=25C) 3.6 W —
Power Dissipation (TC=25C) 156 W —
Gate Drive Voltage (VGS recommended) 10 V —
Boîtier 8-PQFN (5x6) SuperSO8 8-PQFN 5x6 mm (Power QFN)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Configuration Single with built-in body diode —
Température de fonctionnement -55C to +150C (TJ max) —
Statut RoHS Compliant —
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — IRFH6200TRPBF
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 20 V
Continuous Drain Current (ID) at Ta=25C — 49 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc=25C — 100 A
On-State Resistance RDS(on) max at VGS=10V — 1.2 mOhm
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — [DATA_NEEDED: VGS absolute max rating]
Power Dissipation at Ta (25C) — 3.6 W
Power Dissipation at Tc (25C) — 156 W
Température de jonction en fonctionnement — -55C to +150C
Lead-Free / RoHS — Yes (TRPBF suffix = Pb-free T&R)
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating per JEDEC J-STD-020]
Channel Type — N-Channel enhancement mode
Avalanche Energy Rated — Yes

Fiches techniques et ressources

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