IRS2153DSTRPBF vs IR2153STRPBF השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IRS2153DSTRPBF מאת Infineon ו IR2153STRPBF מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IRS2153DSTRPBF IR2153STRPBF
מותג Infineon Infineon
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
טופולוגיה Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer Self-oscillating RC
Programmable Shutdown Pin Yes —
מארז 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm width)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
טווח טמפרטורת פעולה -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
סטטוס RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
מספר יציאות — 2 (High Side / Low Side)
Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Bootstrap Supply Voltage (VB) — VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped)
Source/Sink Current (Peak) — 200 mA / 400 mA
Output Current — 0.4 A
Propagation Delay — 1.2 us
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime Control — Programmable via CT, tighter initial control
UVLO Hysteresis — 1 V
Shutdown Feature — 1/6 VCC threshold on CT pin
טמפרטורת פעולה — -40C to +125C
Lead Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
רמת MSL — 1

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר