IRS2153DSTRPBF vs IR2153STRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRS2153DSTRPBF توسط Infineon و IR2153STRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IRS2153DSTRPBF IR2153STRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
توپولوژی Half-Bridge Gate Driver with internal oscillator —
High-Side Floating Supply Absolute Max 600 V —
VDD Supply Voltage Range 10 V to 20 V —
Output Source Current (typ.) 0.18 A —
Output Sink Current (typ.) 0.26 A —
Internal Propagation Delay (typ.) 1.1 us —
Integrated Bootstrap FET Yes —
Oscillator Type RC-based, similar to CMOS 555 timer Self-oscillating RC
Programmable Shutdown Pin Yes —
بسته‌بندی 8-pin SOIC 8-SOIC (3.90 mm width)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -40C to +125C —
Technology HVIC + latch-immune CMOS —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Configuration — Half-Bridge
تعداد خروجی‌ها — 2 (High Side / Low Side)
Offset Voltage (Max) — 600 V
Supply Voltage (VCC) — 10 V to 15.6 V (zener clamped)
Bootstrap Supply Voltage (VB) — VCC + 10 V to VCC + 15.6 V (clamped)
Source/Sink Current (Peak) — 200 mA / 400 mA
Output Current — 0.4 A
Propagation Delay — 1.2 us
Rise / Fall Time — [DATA_NEEDED: rise/fall time]
Deadtime Control — Programmable via CT, tighter initial control
UVLO Hysteresis — 1 V
Shutdown Feature — 1/6 VCC threshold on CT pin
دمای کاری — -40C to +125C
Lead Free / RoHS — Yes (PBF suffix)
سطح MSL — 1

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت