IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von IRS21834STRPBF von Infineon und IR2117STRPBF von Infineon. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
Marke Infineon Infineon
Kategorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $1,45 $0,58
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C -40 C to +125 C
Gehäuse 14-SOIC (SOIC-14) —
Montageart Surface Mount Surface Mount
MSL-Level 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Funktion — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Anzahl der Ausgänge — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Anstiegszeit — 80 ns (typ)
Abfallzeit — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Gehäuse / Bauform — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

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