IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF 비교

다음의 상세 나란히 비교: IRS21834STRPBF 제조: Infineon 및 IR2117STRPBF 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.45 $0.58
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
동작 온도 범위 -40C to +125C -40 C to +125 C
패키지 14-SOIC (SOIC-14) —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
MSL 레벨 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
기능 — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
출력 수 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
상승 시간 — 80 ns (typ)
하강 시간 — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
패키지 / 케이스 — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

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