IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF Comparação

Comparação detalhada lado a lado de IRS21834STRPBF por Infineon e IR2117STRPBF por Infineon. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoria Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $1,45 $0,58
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
Faixa de temperatura de operação -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulamento 14-SOIC (SOIC-14) —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Função — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Número de saídas — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Tempo de subida — 80 ns (typ)
Tempo de descida — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Encapsulamento / Caixa — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

Fichas técnicas e recursos

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