IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de IRS21834STRPBF par Infineon et IR2117STRPBF par Infineon. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
Marque Infineon Infineon
Catégorie Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,45 $0,58
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
Plage de température de fonctionnement -40C to +125C -40 C to +125 C
Boîtier 14-SOIC (SOIC-14) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Niveau MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Fonction — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Nombre de sorties — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Temps de montée — 80 ns (typ)
Temps de descente — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Boîtier / Format — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

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