IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF 比較

詳細な並列比較: IRS21834STRPBF メーカー: Infineon および IR2117STRPBF メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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IRS21834STRPBF IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF - 600V Half-Bridge Gate Driver | Infineon

IRS21834STRPBF ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
ブランド Infineon Infineon
カテゴリ Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.45 $0.58
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
動作温度範囲 -40C to +125C -40 C to +125 C
パッケージ 14-SOIC (SOIC-14) —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
MSLレベル 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS ステータス Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
機能 — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
出力数 — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
立ち上がり時間 — 80 ns (typ)
立ち下がり時間 — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
パッケージ / ケース — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

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