IRS21834STRPBF vs IR2117STRPBF Comparación

Comparación detallada lado a lado de IRS21834STRPBF por Infineon y IR2117STRPBF por Infineon. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro IRS21834STRPBF IR2117STRPBF
Marca Infineon Infineon
Categoría Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $1,45 $0,58
Configuration Half-Bridge High-Side Single Channel
Number of Drivers 2 (high-side + low-side) —
Input Logic Inverting, Non-Inverting with Shutdown —
Maximum Offset Voltage (High-Side) 600 V —
Gate Drive Supply (VCC, VBS) 10 V to 20 V —
Source Current (typ.) 1.9 A —
Sink Current (typ.) 2.3 A —
Propagation Delay (typ.) 200 ns —
Delay Matching (max) ±50 ns —
Undervoltage Lockout (VCC, VBS) Yes —
Negative Transient Voltage Tolerance dV/dt immune Yes, dV/dt immune
Rango de temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40 C to +125 C
Encapsulado 14-SOIC (SOIC-14) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Nivel MSL 1 (unlimited) MSL3 (per JEDEC J-STD-020)
Estado RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Función — Gate Driver, Non-Inverting
Input Logic Compatibility — CMOS / TTL
Número de salidas — 1
Driven Device — N-Channel MOSFET / IGBT
Gate Drive Supply Voltage (VCC) — 10 V to 20 V
Floating Channel Offset Voltage — up to +600 V
Peak Source Current (IOUT+) — 250 mA
Peak Sink Current (IOUT-) — 500 mA
Propagation Delay (Ton/Toff) — 125 ns (max)
Tiempo de subida — 80 ns (typ)
Tiempo de bajada — 40 ns (typ)
Undervoltage Lockout (UVLO) — Yes
Encapsulado / Carcasa — 8-SOIC (0.154 inch / 3.90 mm width)

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