K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A4G085WG-BCWE von Samsung Electronics und K4A4G085WD-BCRC von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,68 | $3,58 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Speichergröße | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Gehäuse | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Schnittstelle | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Speicherorganisation | — | 512M x 8 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Betriebstemperaturbereich | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |