K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A4G085WG-BCWE 제조: Samsung Electronics 및 K4A4G085WD-BCRC 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.68 | $3.58 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| 메모리 크기 | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| 패키지 | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 (TFBGA) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 인터페이스 | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | — | 512M x 8 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| 동작 온도 범위 | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |