K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC 比較

詳細な並列比較: K4A4G085WG-BCWE メーカー: Samsung Electronics および K4A4G085WD-BCRC メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ 生産中
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K4A4G085WD-BCRC K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC - 4Gb DDR4-2400 SDRAM 512Mx8 | Samsung

K4A4G085WD-BCRC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WD-BCRC
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $2.68 $3.58
メモリタイプ DDR4 SDRAM (Volatile) DDR4 SDRAM (D-die)
メモリサイズ 4 Gb —
Memory Organization 512M x 8 —
データレート 3200 Mbps/pin 2400 Mb/s (PC2400)
Speed Class DDR4-3200 —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Technology D-die DDR4 —
パッケージ FBGA-78 (BCW) FBGA-78 (TFBGA)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
インターフェース Parallel (DDR4) Parallel
Burst Length BL8 —
DLL Mode DLL Enabled (per datasheet timing) —
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh [DATA_NEEDED: refresh rate specification] [DATA_NEEDED: Refresh specification]
RoHS ステータス Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Packaging Tray —
Memory Density — 4 Gbit
メモリ構成 — 512M x 8
電源電圧 — 1.2 V
Number of Terminals — 78
Access Mode — Multi-bank page burst
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
動作温度範囲 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
MSLレベル — [DATA_NEEDED: MSL Level]

データシート&リソース

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