K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics et K4A4G085WD-BCRC par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,68 | $3,58 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Taille de mémoire | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Débit de données | 3200 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Boîtier | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 8 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Plage de température de fonctionnement | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |