K4A4G085WG-BCWE vs K4A4G085WD-BCRC Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A4G085WG-BCWE por Samsung Electronics e K4A4G085WD-BCRC por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Comparação de especificações
| Parâmetro | K4A4G085WG-BCWE | K4A4G085WD-BCRC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $2,68 | $3,58 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM (Volatile) | DDR4 SDRAM (D-die) |
| Tamanho da memória | 4 Gb | — |
| Memory Organization | 512M x 8 | — |
| Taxa de dados | 3200 Mbps/pin | 2400 Mb/s (PC2400) |
| Speed Class | DDR4-3200 | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Technology | D-die DDR4 | — |
| Encapsulamento | FBGA-78 (BCW) | FBGA-78 (TFBGA) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Interface | Parallel (DDR4) | Parallel |
| Burst Length | BL8 | — |
| DLL Mode | DLL Enabled (per datasheet timing) | — |
| Temperatura de operação | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Refresh | [DATA_NEEDED: refresh rate specification] | [DATA_NEEDED: Refresh specification] |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Packaging | Tray | — |
| Memory Density | — | 4 Gbit |
| Organização da memória | — | 512M x 8 |
| Tensão de alimentação | — | 1.2 V |
| Number of Terminals | — | 78 |
| Access Mode | — | Multi-bank page burst |
| Latência CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Faixa de temperatura de operação | — | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Nível MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |