K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G045WB von Samsung Electronics und K4A8G085WB-BICH von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $9,27 | $4,96 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Speicherorganisation | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Datenrate | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| Betriebstemperatur | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| Gehäuse | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS-Latenz | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |