K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G045WB par Samsung Electronics et K4A8G085WB-BICH par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,27 | $4,96 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organisation de la mémoire | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Débit de données | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| Température de fonctionnement | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| Boîtier | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| Latence CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |