K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G045WB por Samsung Electronics y K4A8G085WB-BICH por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,27 | $4,96 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| Organización de memoria | 2G x 4 | 1G x 8 |
| Velocidad de datos | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| Temperatura de funcionamiento | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| Encapsulado | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| Latencia CAS | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |