K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH 比較
詳細な並列比較: K4A8G045WB メーカー: Samsung Electronics および K4A8G085WB-BICH メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $9.27 | $4.96 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| メモリ構成 | 2G x 4 | 1G x 8 |
| データレート | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| 動作温度 | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| パッケージ | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CASレイテンシ | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |