K4A8G045WB vs K4A8G085WB-BICH 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G045WB 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G085WB-BICH 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G045WB | K4A8G085WB-BICH |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $9.27 | $4.96 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM (B-die) | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | 8Gb |
| 메모리 구성 | 2G x 4 | 1G x 8 |
| 데이터 속도 | 2133 Mbps | 2400 Mbps (DDR4-2400) |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2V |
| Max Supply Current | 211.7 mA | 170mA |
| 동작 온도 | 0 C to +85 C | 0°C to 85°C |
| 패키지 | 78-ball FBGA | 78-ball FBGA |
| Refresh Cycles | 8192 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| Number of Terminals | 78 | — |
| Clocking | Differential clock (CK / CK#) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT pin) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Posted CAS | Yes | — |
| Programmable CWL | Yes | — |
| Internal (Self) Calibration | Yes | — |
| RoHS 상태 | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Burst Length | — | BL8, BL16 |
| CAS 레이턴시 | — | Programmable |
| On-Die ECC | — | Yes |
| Data Bus Inversion | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Die Revision | — | B-die |