K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G085WC-BCRC von Samsung Electronics und H5AN8G8NCJR-RDC von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | SK hynix |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,30 | $2,70 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Speicherorganisation | 1G x 8 | x8 |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| Datenrate | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| Gehäuse | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Schnittstelle | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |