K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G085WC-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 H5AN8G8NCJR-RDC 제조: SK hynix. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | SK hynix |
| 카테고리 | DRAM | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $4.30 | $2.70 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| 메모리 구성 | 1G x 8 | x8 |
| 공급 전압 | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| 패키지 | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS 상태 | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| 인터페이스 | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| 할로겐 프리 | — | Yes |