K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G085WC-BCRC por Samsung Electronics y H5AN8G8NCJR-RDC por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $4,30 | $2,70 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Organización de memoria | 1G x 8 | x8 |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| Velocidad de datos | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| Encapsulado | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Interfaz | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |