K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G085WC-BCRC par Samsung Electronics et H5AN8G8NCJR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,30 | $2,70 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | x8 |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| Débit de données | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| Boîtier | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| Interface | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |