K4A8G085WC-BCRC vs H5AN8G8NCJR-RDC 比較
詳細な並列比較: K4A8G085WC-BCRC メーカー: Samsung Electronics および H5AN8G8NCJR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4A8G085WC-BCRC | H5AN8G8NCJR-RDC |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | DRAM | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $4.30 | $2.70 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb (1 GB) |
| メモリ構成 | 1G x 8 | x8 |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V (VDD) |
| データレート | 2400 Mbps (DDR4-2400) | up to 2666 Mbps |
| パッケージ | 78-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA |
| Terminal Pitch | 0.8 mm | — |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +95C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for -RDC suffix] |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| RoHS ステータス | Compliant | Compliant |
| Refresh | Auto/Self refresh | — |
| インターフェース | — | DDR4 (JEDEC standard) |
| Bank Architecture | — | 4 bank groups x 4 banks |
| Burst Length | — | BL8 |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS latency for -RDC speed grade] |
| Generation | — | C-die family (NCJR) |
| Lead Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |