K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WC-BCRC von Samsung Electronics und K4A8G165WC-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $23,00 | $1,31 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 2400 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Betriebstemperatur | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Schnittstelle | 16-bit I/O | DDR4 (16-bit data bus) |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS-Latenz | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Speichergröße | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Versorgungsspannung | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Eigenschaften | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |