K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WC-BCRC 제조: Samsung Electronics 및 K4A8G165WC-BCPB 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $23.00 | $1.31 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| 메모리 구성 | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 2400 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| 동작 온도 | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| 패키지 | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| 인터페이스 | 16-bit I/O | DDR4 (16-bit data bus) |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| CAS 레이턴시 | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 메모리 크기 | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| 특징 | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |