K4A8G165WC-BCRC vs K4A8G165WC-BCPB Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WC-BCRC par Samsung Electronics et K4A8G165WC-BCPB par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WC-BCRC | K4A8G165WC-BCPB |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $23,00 | $1,31 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | — |
| Débit de données | 2400 Mbps | DDR4-2133 (2133 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | — |
| VPP Voltage | 2.5 V | — |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C (case) | 0C to +95C |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9mm x 13mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| Interface | 16-bit I/O | DDR4 (16-bit data bus) |
| Banks | 16 (4 bank groups) | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 16, 17, 18) | — |
| Refresh | Temperature-compensated self-refresh (TCSR) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Taille de mémoire | — | 8 Gb |
| Memory Organization | — | 512M x 16 |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Operating Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Die Generation | — | C-die (1Y nm class) |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Termination | — | On-die termination (ODT), dynamic |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL Level] |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Standard | — | JEDEC DDR4 SDRAM |