K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WG-BCWE von Samsung Electro-Mechanics und MT40A512M16AD-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ AktivMicron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16AD-062E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electro-Mechanics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $29,53 | $9,20 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Speichergröße | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Datenrate | 3200 Mbps | — |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +85°C | — |
| Operating Current | 20 mA | — |
| Gehäuse | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 19 ns | — |
| Technology | B-die | — |
| RoHS-Status | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Lebenszyklusstatus | Active | — |
| Speicherorganisation | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (Row Cycle) | — | 19 ns |
| Schnittstelle | — | Parallel (POD) |
| Automotive Qualification | — | AUT:E (automotive variant) |
| Speed Grade | — | -062E |
| Betriebstemperatur | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Prefetch Architecture | — | 8n with bank groups |
| HS Code (USHTS) | — | 8542320071 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: reel quantity] |