K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WG-BCWE par Samsung Electro-Mechanics et MT40A512M16AD-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16AD-062E
Marque Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $29,53 $9,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Débit de données 3200 Mbps —
Tension d'alimentation 1.2 V [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)]
Plage de température de fonctionnement 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
Boîtier FBGA-96 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
Statut RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Statut du cycle de vie Active —
Organisation de la mémoire — 512M x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (Row Cycle) — 19 ns
Interface — Parallel (POD)
Automotive Qualification — AUT:E (automotive variant)
Speed Grade — -062E
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Prefetch Architecture — 8n with bank groups
HS Code (USHTS) — 8542320071
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: reel quantity]

Fiches techniques et ressources

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