K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4A8G165WG-BCWE 제조: Samsung Electro-Mechanics 및 MT40A512M16AD-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 활성Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16AD-062E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electro-Mechanics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $29.53 | $9.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| 데이터 속도 | 3200 Mbps | — |
| 공급 전압 | 1.2 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +85°C | — |
| Operating Current | 20 mA | — |
| 패키지 | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 19 ns | — |
| Technology | B-die | — |
| RoHS 상태 | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| 수명 주기 상태 | Active | — |
| 메모리 구성 | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (Row Cycle) | — | 19 ns |
| 인터페이스 | — | Parallel (POD) |
| Automotive Qualification | — | AUT:E (automotive variant) |
| Speed Grade | — | -062E |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Prefetch Architecture | — | 8n with bank groups |
| HS Code (USHTS) | — | 8542320071 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: reel quantity] |