K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WG-BCWE por Samsung Electro-Mechanics y MT40A512M16AD-062E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Activo
Micron Technology
MT40A512M16AD-062E MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron

MT40A512M16AD-062E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4A8G165WG-BCWE MT40A512M16AD-062E
Marca Samsung Electro-Mechanics Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $29,53 $9,20
Tipo de memoria DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamaño de memoria 8 Gbit 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 —
Velocidad de datos 3200 Mbps —
Tensión de alimentación 1.2 V [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)]
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +85°C —
Operating Current 20 mA —
Encapsulado FBGA-96 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Memory Interface Parallel —
Row Cycle Time (tRC) 19 ns —
Technology B-die —
Estado RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Estado del ciclo de vida Active —
Organización de memoria — 512M x 16
Clock Frequency — 1.6 GHz
Access Time (Row Cycle) — 19 ns
Interfaz — Parallel (POD)
Automotive Qualification — AUT:E (automotive variant)
Speed Grade — -062E
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Prefetch Architecture — 8n with bank groups
HS Code (USHTS) — 8542320071
Standard Pack Quantity — [DATA_NEEDED: reel quantity]

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