K4A8G165WG-BCWE vs MT40A512M16AD-062E 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WG-BCWE メーカー: Samsung Electro-Mechanics および MT40A512M16AD-062E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung
K4A8G165WG-BCWE ✓ 生産中Micron Technology
MT40A512M16AD-062E - 8Gbit DDR4 SDRAM x16 3200MT/s | Micron
MT40A512M16AD-062E ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WG-BCWE | MT40A512M16AD-062E |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electro-Mechanics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $29.53 | $9.20 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| メモリサイズ | 8 Gbit | 8 Gbit |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| データレート | 3200 Mbps | — |
| 電源電圧 | 1.2 V | [DATA_NEEDED: core supply voltage (VDD)] |
| 動作温度範囲 | 0°C to +85°C | — |
| Operating Current | 20 mA | — |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-FBGA (7.5 mm x 13.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Row Cycle Time (tRC) | 19 ns | — |
| Technology | B-die | — |
| RoHS ステータス | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| ライフサイクル状態 | Active | — |
| メモリ構成 | — | 512M x 16 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Access Time (Row Cycle) | — | 19 ns |
| インターフェース | — | Parallel (POD) |
| Automotive Qualification | — | AUT:E (automotive variant) |
| Speed Grade | — | -062E |
| 動作温度 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Prefetch Architecture | — | 8n with bank groups |
| HS Code (USHTS) | — | 8542320071 |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: reel quantity] |