K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCK0 von Samsung Electronics und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $14,10 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Datenrate | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS-Latenz | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Versorgungsspannung | — | 1.35 V |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS-Status | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL-Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |