K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BCK0 제조: Samsung Electronics 및 MT41K256M16TW-107 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $2.30 | $14.10 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CAS 레이턴시 | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| 동작 온도 | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS 상태 | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSL 레벨 | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |