K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK0 par Samsung Electronics et MT41K256M16TW-107 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $14,10 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Débit de données | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latence CAS | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Interface | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tension d'alimentation | — | 1.35 V |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |