K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCK0 por Samsung Electronics y MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $2,30 | $14,10 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Latencia CAS | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Interfaz | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |