K4B4G1646D-BCK0 vs MT41K256M16TW-107 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCK0 メーカー: Samsung Electronics および MT41K256M16TW-107 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BCK0 | MT41K256M16TW-107 |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Micron Technology |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.30 | $14.10 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| データレート | 1600 Mbps per pin | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| CASレイテンシ | 11 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (8x14 mm) |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (Tc) | 0C to +95C (commercial :P grade) |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| インターフェース | — | Parallel |
| Access Time | — | 20 ns |
| 電源電圧 | — | 1.35 V |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| 実装タイプ | — | Surface Mount |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Die Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| RoHS ステータス | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| MSLレベル | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |