K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BCK00 von Samsung Electronics und AS4C256M16D3L-12BCN von Alliance Memory. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AktivAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Datenrate | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Versorgungsspannung | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |
| Maximale Taktfrequenz | — | 800 MHz |
| Montagestil | — | SMD/SMT |
| Betriebstemperaturbereich | — | 0C to +95C (Tc) |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Schnittstellentyp | — | Parallel |
| Anzahl der Pins | — | 96 |