K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics e AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ AtivoAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organização da memória | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de memória | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Taxa de dados | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Tensão de alimentação | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Encapsulamento | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Temperatura de operação | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latência CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Livre de halogênio | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Gbit |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |
| Frequência máxima de clock | — | 800 MHz |
| Estilo de montagem | — | SMD/SMT |
| Faixa de temperatura de operação | — | 0C to +95C (Tc) |
| Livre de halogênio | — | Yes |
| Tipo de interface | — | Parallel |
| Número de pinos | — | 96 |