K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BCK00 par Samsung Electronics et AS4C256M16D3L-12BCN par Alliance Memory. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActifAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Débit de données | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Tension d'alimentation | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |
| Fréquence d'horloge maximale | — | 800 MHz |
| Style de montage | — | SMD/SMT |
| Plage de température de fonctionnement | — | 0C to +95C (Tc) |
| Sans halogène | — | Yes |
| Type d'interface | — | Parallel |
| Nombre de broches | — | 96 |