K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646D-BCK00 por Samsung Electronics y AS4C256M16D3L-12BCN por Alliance Memory. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ ActivoAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Tensión de alimentación | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latencia CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4 Gbit |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Frecuencia de reloj máxima | — | 800 MHz |
| Estilo de montaje | — | SMD/SMT |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0C to +95C (Tc) |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Tipo de interfaz | — | Parallel |
| Número de pines | — | 96 |