K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646D-BCK00 メーカー: Samsung Electronics および AS4C256M16D3L-12BCN メーカー: Alliance Memory。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $5.90 | $6.00 |
| Density | 4 Gb | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| データレート | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| 電源電圧 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| パッケージ | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| 動作温度 | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CASレイテンシ | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| ハロゲンフリー | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 4 Gbit |
| データバス幅 | — | 16 bit |
| 最大クロック周波数 | — | 800 MHz |
| 実装スタイル | — | SMD/SMT |
| 動作温度範囲 | — | 0C to +95C (Tc) |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| インターフェースタイプ | — | Parallel |
| ピン数 | — | 96 |