K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BCK00 제조: Samsung Electronics 및 AS4C256M16D3L-12BCN 제조: Alliance Memory. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $5.90 | $6.00 |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| 공급 전압 | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| 패키지 | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| 동작 온도 | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS 레이턴시 | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| 최대 클록 주파수 | — | 800 MHz |
| 장착 스타일 | — | SMD/SMT |
| 동작 온도 범위 | — | 0C to +95C (Tc) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| 인터페이스 유형 | — | Parallel |
| 핀 수 | — | 96 |