K4B4G1646D-BCK00 vs AS4C256M16D3L-12BCN Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4B4G1646D-BCK00 от Samsung Electronics и AS4C256M16D3L-12BCN от Alliance Memory. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCK00 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BCK00 ✓ АктивенAlliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Alliance Memory
AS4C256M16D3L-12BCN ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4B4G1646D-BCK00 | AS4C256M16D3L-12BCN |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Alliance Memory |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $5,90 | $6,00 |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Speed Grade | DDR3-1600 (800 MHz) | — |
| Скорость передачи данных | 1600 Mbps/pin | 1600 Mbps |
| Напряжение питания | 1.35V (1.283V to 1.45V) | 1.35 V |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Корпус | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-FBGA (9x13 mm) |
| Рабочая температура | 0°C to 95°C (Tcase) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Задержка CAS | 11 (at 1600 Mbps) | 20 ns |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Без галогенов | Yes | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |
| Максимальная тактовая частота | — | 800 MHz |
| Способ монтажа | — | SMD/SMT |
| Диапазон рабочих температур | — | 0C to +95C (Tc) |
| Без галогенов | — | Yes |
| Тип интерфейса | — | Parallel |
| Количество выводов | — | 96 |