K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BPH90 von Samsung Electronics und IS43TR16256A-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BPH90 - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BPH90 ✓ AktivISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,60 | $19,09 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| Speicherorganisation | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| Datenrate | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.35V (DDR3L) | — |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| Betriebstemperatur | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS-Latenz | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |