K4B4G1646D-BPH90 vs IS43TR16256A-125KBL 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646D-BPH90 제조: Samsung Electronics 및 IS43TR16256A-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256A-125KBL - 4Gb DDR3 SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256A-125KBL ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646D-BPH90 | IS43TR16256A-125KBL |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.60 | $19.09 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| 메모리 구성 | 32M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| 데이터 속도 | 2133 Mb/s per pin | 1600MT/s |
| 공급 전압 | 1.35V (DDR3L) | — |
| 패키지 | 96FBGA | 96-TWBGA (9x13mm) |
| 동작 온도 | 0°C to +85°C | 0°C to +95°C (Tc) |
| CAS 레이턴시 | Programmable up to 14 | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.5V ± 0.075V |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.5V ± 0.075V |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| 핀 수 | — | 96 |